中高壓變頻器主電路拓撲結構的分析比較 2
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中高壓變頻器主電路拓撲結構的分析比較 2
所謂多重化技術就是每相由幾個低壓PWM功率單元串聯組成，各功率單元由一個多繞組的隔離變壓器供電，用高速微處理器實現控制和以光導纖維隔離驅動。多重化技術從根本上解決了一般6脈沖和12脈沖變頻器所產生的諧波問題，可實現完美無諧波變頻。圖2為6kV變頻器的主電路拓撲圖，每組由5個額定電壓為690V的功率單元串聯，因此相電壓為690V×5=3450V，所對應的線電壓為6000V。每個功率單元由輸入隔離變壓器的15個二次繞組分別供電，15個二次繞組分成5組，每組之間存在一個12°的相位差。圖3中以中間△接法為參考(
AIGC當涉及到中高壓變頻器（HVVF）的主電路拓撲結構時，其核心目標是有效地將交流電源轉換為頻率和電壓可調的三相輸出，以驅動電動機并實現節(jié)能與控制性能。以下是關于中高壓變頻器主電路拓撲結構的分析比較：
1. **電壓源型拓撲（VSI, Voltage Source Inverter）**: 這種拓撲是最常見的中高壓變頻器結構之一，主要包括一個或多個全橋逆變器、電容器作為直流中間環(huán)節(jié)以及隔離變壓器。工作時，通過PWM（脈寬調制）技術控制全橋模塊導通與關斷，從而調節(jié)輸出電壓和頻率。優(yōu)點是易于實現高壓隔離，缺點是存在開關損耗大、諧波電流較高及對濾波要求嚴格等問題。
2. **電流源型拓撲（CSI, Current Source Inverter）**: 在這種拓撲中，直流中間環(huán)節(jié)通常由大電感替代電容，形成類似于電流源的特性。全橋逆變器同樣被用于控制輸出電壓和頻率，但通過改變流過逆變器的直流電流來調節(jié)輸出電壓，從而降低開關損耗。然而，由于需要處理較大的電流脈沖，因此對電感參數選擇、散熱等要求較高。
3. **雙電平拓撲（Two-Level Topology）**: 包括電壓源型和電流源型兩種細分結構。雙極性電壓型（Bipolar VSI）采用兩個獨立的半橋逆變器，而雙極性電流型（Bipolar CSI）則在每個橋臂加入兩個二極管進行鉗位。它們都具有較高的開關頻率和較簡單的控制算法，但在高壓環(huán)境下可能面臨開關器件耐壓考驗。
4. **多電平拓撲（Multi-Level Topology）**: 如SiC MOSFET或IGBT多電平拓撲，如Flyback、MMC (Multilevel Converters)、DLC (Diode-Clamped Converters) 等，能有效減小電壓紋波、提高功率因數及減少諧波。多電級拓撲需更多開關元件和更復雜的控制策略，但總體上提供更高的運行效率和可靠性。
總結來說，不同的中高壓變頻器主電路拓撲結構各有優(yōu)劣，具體應用時需綜合考慮系統(tǒng)負載特性、運行環(huán)境條件、成本等因素，并結合最新的電力電子技術發(fā)展趨勢來選擇最適合的技術方案。
